Samsung وSK Hynix تستهدفان شرائح NAND من الجيل التالي في مصانع الصين

Samsung وSK Hynix تستهدفان شرائح NAND من الجيل التالي في مصانع الصين
Samsung وSK Hynix تعززان إنتاج الرقائق في الصين

​تعمل Samsung Electronics وSK Hynix على تحديث مصانعهما الصينية لأشباه الموصلات لإنتاج شرائح ذاكرة أكثر تطورًا، سعياً إلى حماية مراكزهما السوقية مع تسارع الطلب على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي. وتسلط هذه الاستثمارات الضوء على تحدٍ متزايد أمام شركات الرقائق الكورية الجنوبية: الحفاظ على إنتاج تنافسي في الصين مع التعامل مع القيود الأمريكية على معدات تصنيع أشباه الموصلات.

أهم الأخبار

  • تستهدف Samsung إنتاج NAND بقدرة 286 طبقة في الصين.
  • تخطط SK Hynix لتحديثات متقدمة في مصانع داليان.
  • القيود الأمريكية تعقّد استثمارات تصنيع الرقائق.

تمت ترجمة هذا المقال من النسخة الأصلية. اقرأ النسخة الأصلية التي أعدها مراسلنا هنا.

وفقًا لـ Reuters ، أكدت الشركتان أن تحديث المصانع جارٍ بالتشاور مع السلطات الأمريكية. وتشمل خططهما إنتاج ذاكرة NAND flash بأكثر من 200 طبقة، رغم أن مدى موافقة واشنطن على المعدات المطلوبة لا يزال غير واضح.

Samsung وSK Hynix تستهدفان إنتاج NAND المتطور

تعمل Samsung على تحديث منشأتها في شيآن، التي تمثل نحو 40% من إنتاجها العالمي من NAND. وينتج المصنع حاليًا شرائح بنحو 200 طبقة، ويجري تجهيزه لإنتاج NAND V9 بقدرة 286 طبقة ضمن مشروع داخلي يحمل اسم Monami.

تستهدف الشركة الوصول إلى إنتاج شهري قدره 5,000 رقاقة بحلول ديسمبر 2026، مع إمكانية رفعه إلى 40,000 رقاقة بحلول ديسمبر 2027. وتؤكد Samsung أن الأعمال ستعمل على تحديث العمليات الحالية بدلًا من زيادة الطاقة الإنتاجية أو إنشاء منشآت جديدة.

تسعى SK Hynix إلى تنفيذ تحسينات مماثلة في مصانعها بداليان، حيث يتركز الإنتاج حاليًا على NAND بقدرة 192 طبقة. وتعتزم الشركة طرح منتجات بقدرة لا تقل عن 240 طبقة، كما تدرس أبحاثًا تشمل شرائح تتجاوز 300 طبقة، رهناً بالحصول على موافقات تنظيمية إضافية.

قيود التصدير الأمريكية تعقّد تحديث المصانع

تواجه الشركتان قيودًا فرضتها واشنطن في إطار سعيها إلى الحد من وصول الصين إلى تكنولوجيا أشباه الموصلات المتقدمة. ومنذ 2022، عرقلت الضوابط الأمريكية شراء المعدات، بينما أصبحت متطلبات الترخيص السنوية تنطبق الآن على بعض أدوات التصنيع أمريكية الصنع.

أشارت وزارة التجارة الأمريكية إلى أن التراخيص ينبغي أن تدعم استمرار العمليات في المصانع الصينية القائمة، لا التحديثات التكنولوجية أو توسعة الطاقة الإنتاجية. ويخلق هذا الموقف حالة من عدم اليقين بشأن خطط الشركتين، حتى مع تأكيدهما إجراء مشاورات مع الجهات التنظيمية الأمريكية.

في غضون ذلك، أحرزت شركة Yangtze Memory Technologies الصينية تقدمًا. وبلغت حصتها في سوق NAND المحلي 38.5% خلال الربع الثاني، وفقًا لـ Omdia، مقارنةً بـ28% خلال 2025. وتراجعت حصة Samsung إلى 33.5%، فيما انخفضت حصة SK Hynix إلى 17%.

الطلب على تخزين الذكاء الاصطناعي يرفع حدة المنافسة

ينطوي هذا التحول التكنولوجي على تداعيات مهمة للمنافسة في قطاع أشباه الموصلات. وتتيح زيادة عدد طبقات NAND للمصنعين رفع كثافة التخزين وخفض تكاليف الإنتاج، ما يجعل الشرائح المتقدمة مهمة للهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر ومراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

خارج الصين، تسوّق Samsung بالفعل NAND بقدرة 286 طبقة، بينما تقدم SK Hynix منتجات تصل إلى 321 طبقة. كما تطور YMTC تقنيتها، بما في ذلك إنتاج محدود لشرائح بقدرة 294 طبقة وخطط لتصاميم أكثر تطورًا.

بالنسبة إلى Samsung وSK Hynix، يزداد تحديث المنشآت الصينية أهميةً للدفاع عن حصتهما السوقية. وستعتمد قدرتهما على المضي قدمًا على الموافقات التنظيمية والتنفيذ التكنولوجي والمنافسة من المصنعين المحليين الذين يقلصون الفجوة بسرعة.

كما أفدنا بأن Samsung وSK Hynix تخططان لاستثمار ضخم في شرائح الذكاء الاصطناعي في كوريا الجنوبية.

قد يحتوي هذا المحتوى على آراء طرف ثالث، ولا تشكل أي من البيانات والمعلومات على هذه الصفحة الإلكترونية نصيحة استثمارية وفقًا لـ إخلاء المسؤولية الخاص بنا. بينما نلتزم بـ النزاهة التحريرية الصارمة، قد يحتوي هذا المنشور على إشارات إلى منتجات من شركائنا.