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18.10.2026

삼성전자, 엔비디아 차세대 HBM용 베이스다이에 TSMC 3나노 채택 — 삼성 HBM 전략 변화

삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리 개발 과정에서 핵심 부품인 베이스다이 생산에 TSMC 공정을 활용하기로 한다. 자체 메모리와 파운드리 역량을 묶는 턴키 전략을 유지해온 삼성전자가 고객 요구에 맞춰 제조 방식을 조정하면서 HBM 공급 구조에도 변화가 예상된다.

하이라이트

엔비디아는 커스텀 HBM인 NVHBM의 베이스다이 생산을 삼성전자 등 3개사에 TSMC 3나노 공정 적용을 요구했다.
삼성전자는 DS 부문 내부 검토 끝에 NVHBM의 베이스다이에 외부 파운드리 공정을 도입하기로 결정, TSMC와 협력은 이번이 처음이다.
표준 HBM4 및 HBM4E 제품에서는 기존 삼성 파운드리 4나노 공정을 고수하며, NVHBM 물량 증가 시 자체 공정 적용 가능성을 검토 중이다.

엔비디아 맞춤형 HBM 생산 방식 조정

서울경제 보도에 따르면 엔비디아는 올해 8월 공개한 커스텀 HBM인 NVHBM 생산을 맡긴 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론에 베이스다이를 TSMC의 3나노 공정으로 제조해줄 것을 요구했다. 코어다이도 6세대 D램 공정인 1c로 통일해달라고 요청했으며, NVHBM은 차세대 HBM인 HBM4E, 7세대 구조를 기반으로 한다.

이 같은 요구는 공급업체별 제조 방식 차이로 제품 성능을 일관되게 구현하기 어려운 점을 줄이기 위한 것으로 풀이된다. 업체마다 별도 검증을 거쳐야 하는 부담도 낮출 수 있어, 삼성전자 DS 부문은 내부 검토 끝에 이를 수용하기로 했다.

삼성전자가 HBM 제조 단계부터 TSMC와 협력하는 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 4년 전 HBM을 GPU와 연결하는 과정에서 TSMC의 패키징 공정과 호환을 위해 협력한 적은 있지만, 이번에는 베이스다이 생산 자체에 외부 파운드리 공정을 적용한다.

표준 HBM은 자체 생산 유지

다만 삼성전자는 표준 HBM 제품에서는 기존 턴키 전략을 유지한다. 회사는 올해 초 세계 최초로 양산한 6세대 HBM4와 현재 양산 검증 중인 7세대 HBM4E의 베이스다이에 삼성 파운드리 4나노 공정을 적용하고 있으며, 두 제품의 코어다이도 화성과 평택 캠퍼스의 1c 라인에서 생산하고 있다.

AMD 등 다른 고객사의 커스텀 HBM에서도 삼성전자는 턴키 방식을 고수할 방침이다. 동시에 NVHBM 개발과 생산에서도 자체 파운드리 활용 가능성을 열어두고 있으며, 업계에서는 NVHBM 수요가 TSMC 생산능력을 넘어설 경우를 대비해 삼성전자가 자사 공정 적용 여부를 검증하고 있는 것으로 보고 있다.

저희 이전 보도에서는 중국 메모리 업체 CXMT가 4F² 기반 차세대 DDR5 RDIMM을 연내 공개하겠다고 밝히면서, 한국 반도체 업계와의 기술 격차가 얼마나 빠르게 좁혀질지가 핵심 변수로 떠올랐다는 점을 짚었습니다. 다만 제품 사양과 양산 일정이 명확하지 않아 실제 양산 시점과 초기 수율이 경쟁 구도에 더 큰 영향을 줄 수 있으며, 이 과정에서 삼성전자·SK하이닉스 주가 흐름과 AI 공급망으로의 자금 이동도 함께 나타났다고 정리했습니다.

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