SK Hynix تستثمر 38 مليار دولار لتوسيع إنتاج رقائق الذاكرة
تستعد شركة SK Hynix لواحدة من أكبر توسعاتها التصنيعية حتى الآن، حيث خصصت 54.3 تريليون وون، أو ما يقرب من 38.1 مليار دولار، لمصنعين جديدين لرقائق الذاكرة في كوريا الجنوبية. ويعكس هذا الاستثمار توقعات الشركة بأن الطلب على ذاكرة النطاق الترددي العالي ومنتجات الذاكرة المتقدمة الأخرى سيظل قوياً مع توسع البنية التحتية للذكاء الاصطناعي.
أهم الأخبار
- ستستثمر SK Hynix حوالي 38.1 مليار دولار في مصنعين جديدين للذاكرة.
- سيركز مصنع يونغين على DRAM وHBM، بينما سينتج مصنع تشونغجو NAND.
- من المقرر أن تدخل القدرة الإنتاجية الجديدة حيز التنفيذ اعتباراً من عامي 2028 و2029.
تمت ترجمة هذا المقال من النسخة الأصلية. اقرأ النسخة الأصلية التي أعدها مراسلنا هنا.
ستنفق الشركة 35.2 تريليون وون على مصنع التصنيع Y2 في يونغين و19.1 تريليون وون أخرى على منشأة M17 في تشونغجو، وفقاً لشبكة CNBC. وتهدف هذه المشاريع إلى توسيع إنتاج DRAM، وذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM)، وNAND، بينما يواجه مصنعو الذاكرة نقصاً في الإمدادات وطلباً متزايداً من مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة المتقدمة.
طلب الذكاء الاصطناعي يدفع توسع القدرة الإنتاجية
برزت SK Hynix كمورد رئيسي لـ HBM ، وهي شكل متخصص من الذاكرة المستخدمة جنباً إلى جنب مع معالجات الذكاء الاصطناعي المتقدمة. وقد تسارع الطلب مع استثمار شركات التكنولوجيا بكثافة في البنية التحتية للحوسبة، وتطلب شركات الرقائق مثل Nvidia كميات متزايدة من الذاكرة عالية الأداء.
سيكون مصنع يونغين Y2 الجديد هو الثاني من بين أربعة مرافق تصنيع مخططة في مجمع يونغين لأشباه الموصلات. ومن المقرر أن يبدأ البناء في يوليو 2027، مع توقع افتتاح أول غرفة نظيفة في يونيو 2029. وستقوم المنشأة بتصنيع منتجات DRAM، بما في ذلك HBM وذاكرة الجيل القادم الأخرى.
سيركز مصنع M17 في تشونغجو على ذاكرة NAND. ومن المقرر أن يبدأ البناء في فبراير 2027، يليه افتتاح أول غرفة نظيفة في ديسمبر 2028.
ويعني هذا التوقيت أن الاستثمار لن يؤدي إلى زيادة فورية في إنتاج SK Hynix. بدلاً من ذلك، فإنه يضيف قدرة إنتاجية لنهاية العقد، عندما قد تكون متطلبات حوسبة الذكاء الاصطناعي أكبر بكثير مما هي عليه اليوم.
صناع الذاكرة يتسابقون لتلبية الطلب
تتوسع SK Hynix مع اشتداد المنافسة في صناعة الذاكرة. استعادت سامسونج المركز الرائد في سوق DRAM العالمي من حيث الحصة خلال الربع الثاني، وفقاً لشركة Counterpoint Research، بينما تعمل ميكرون والمصنعون الصينيون أيضاً على زيادة القدرة الإنتاجية.
وعلى الرغم من خطط التوسع هذه، قد تظل الإمدادات محدودة إذا استمر الطلب على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي في النمو بشكل أسرع من قدرة المصانع الجديدة على العمل. وقد ارتفعت أسعار الذاكرة بالفعل بشكل حاد وسط عدم التوازن، مما دعم الأرباح وأسعار الأسهم لدى كبار المنتجين.
وتشكل المشاريع الأخيرة أيضاً جزءاً من استراتيجية تصنيع أكبر بكثير. وقد حددت SK Hynix سابقاً خططاً لاستثمار 600 تريليون وون في مجمع يونغين لأشباه الموصلات و100 تريليون وون في توسيع قاعدة إنتاجها في تشونغجو.
رهان طويل الأمد على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي
يُظهر الالتزام بمبلغ 54.3 تريليون وون أن SK Hynix تتوقع أن يتطور النقص الحالي في الذاكرة إلى دورة استثمار أطول بدلاً من أن يختفي بسرعة. ومع وصول أول غرف نظيفة جديدة فقط في أواخر عام 2028 و2029، تعمل الشركة فعلياً على تهيئة القدرة الإنتاجية قبل عدة سنوات من الطلب المتوقع.
وهذا الأمر يهم ما هو أبعد من SK Hynix. إذ يحدد توفر HBM وDRAM بشكل متزايد مدى سرعة توسع قدرة حوسبة الذكاء الاصطناعي، مما يجعل إنتاج الذاكرة جزءاً حيوياً من سلسلة توريد الذكاء الاصطناعي العالمية.
لقد سلطنا الضوء سابقاً على أن سامسونج وSK Hynix تخططان لاستثمارات ضخمة في رقائق الذكاء الاصطناعي في كوريا الجنوبية.
آخر أخبار SK Hynix
- Forex
- Crypto