Samsung และ SK Hynix เร่งผลิตชิป NAND รุ่นใหม่ที่โรงงานในจีน

Traders Union
ข่าวทั้งหมด
ธุรกิจและความมั่งคั่ง
บริษัทต่างๆ
Samsung และ SK Hynix เดินหน้าพัฒนาชิปหน่วยความจำ

ข่าวทั้งหมด

ข่าวเด่น

บทความที่คัดสรรโดยบรรณาธิการ

หุ้น

สกุลเงินดิจิทัล

เศรษฐกิจ

สกุลเงิน

สินค้าโภคภัณฑ์

ธุรกิจและความมั่งคั่ง

เสียงจากตลาด

Andrey Mastykin

21.10.2026

Samsung และ SK Hynix เร่งผลิตชิป NAND รุ่นใหม่ที่โรงงานในจีน — Samsung และ SK Hynix ยกระดับการผลิตชิปในจีน

Samsung Electronics และ SK Hynix กำลังยกระดับโรงงานเซมิคอนดักเตอร์ในจีนเพื่อผลิตชิปหน่วยความจำที่ก้าวหน้ายิ่งขึ้น โดยมุ่งรักษาตำแหน่งในตลาดท่ามกลางความต้องการโครงสร้างพื้นฐาน AI ที่เร่งตัวขึ้น การลงทุนดังกล่าวสะท้อนความท้าทายที่เพิ่มขึ้นสำหรับผู้ผลิตชิปเกาหลีใต้ นั่นคือการรักษาความสามารถในการผลิตที่แข่งขันได้ในจีน ควบคู่กับการรับมือข้อจำกัดของสหรัฐฯ ต่ออุปกรณ์ผลิตเซมิคอนดักเตอร์

ไฮไลท์

Samsung ตั้งเป้าผลิต NAND แบบ 286 เลเยอร์ในจีน
SK Hynix วางแผนยกระดับโรงงานในต้าเหลียนด้วยเทคโนโลยีขั้นสูง
ข้อจำกัดของสหรัฐฯ ทำให้การลงทุนผลิตชิปซับซ้อนขึ้น

บทความนี้ได้รับการแปลจากต้นฉบับ อ่านเวอร์ชันต้นฉบับโดยผู้สื่อข่าวของเราที่นี่.

ตามรายงานของ Reuters ทั้งสองบริษัทเปิดเผยว่าอยู่ระหว่างการปรับปรุงโรงงานโดยหารือกับทางการสหรัฐฯ แผนดังกล่าวครอบคลุมการผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND ที่มีมากกว่า 200 เลเยอร์ แม้ขอบเขตการอนุมัติของวอชิงตันสำหรับอุปกรณ์ที่จำเป็นยังไม่ชัดเจน

Samsung และ SK Hynix ตั้งเป้าผลิต NAND ขั้นสูง

Samsung กำลังยกระดับโรงงานในซีอาน ซึ่งคิดเป็นประมาณ 40% ของการผลิต NAND ทั่วโลกของบริษัท ปัจจุบันโรงงานแห่งนี้ผลิตชิปที่มีราว 200 เลเยอร์ และกำลังเตรียมผลิต NAND V9 แบบ 286 เลเยอร์ ภายใต้โครงการภายในชื่อ Monami

บริษัทตั้งเป้าผลิตให้ได้ 5,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในเดือนธันวาคม 2026 และอาจเพิ่มเป็น 40,000 เวเฟอร์ภายในเดือนธันวาคม 2027 Samsung ยืนยันว่าการดำเนินงานดังกล่าวเป็นการปรับปรุงการผลิตเดิมให้ทันสมัย ไม่ใช่การเพิ่มกำลังการผลิตหรือการก่อสร้างโรงงานแห่งใหม่

SK Hynix กำลังดำเนินการปรับปรุงในลักษณะเดียวกันที่โรงงานในต้าเหลียน ซึ่งปัจจุบันเน้นการผลิต NAND แบบ 192 เลเยอร์ บริษัทมีแผนเปิดตัวผลิตภัณฑ์ที่มีอย่างน้อย 240 เลเยอร์ และกำลังพิจารณาวิจัยชิปที่มีมากกว่า 300 เลเยอร์ โดยต้องได้รับอนุมัติจากหน่วยงานกำกับดูแลเพิ่มเติม

ข้อจำกัดการส่งออกของสหรัฐฯ ทำให้การยกระดับโรงงานซับซ้อนขึ้น

ผู้ผลิตทั้งสองรายเผชิญข้อจำกัดที่วอชิงตันนำมาใช้เพื่อ จำกัดการเข้าถึง เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงของจีน นับตั้งแต่ปี 2022 มาตรการควบคุมของสหรัฐฯ ทำให้การจัดซื้ออุปกรณ์มีความซับซ้อนขึ้น ขณะที่ปัจจุบันข้อกำหนดด้านใบอนุญาตรายปีมีผลกับเครื่องมือผลิตบางประเภทที่ผลิตในสหรัฐฯ

กระทรวงพาณิชย์สหรัฐฯ ระบุว่าใบอนุญาตควรสนับสนุนการดำเนินงานต่อเนื่องของโรงงานจีนที่มีอยู่เดิม มากกว่าการยกระดับเทคโนโลยีหรือการขยายกำลังการผลิต จุดยืนดังกล่าวสร้างความไม่แน่นอนต่อแผนของบริษัท แม้ทั้งสองจะยืนยันว่ากำลังหารือกับหน่วยงานกำกับดูแลของสหรัฐฯ

ขณะเดียวกัน Yangtze Memory Technologies ผู้ผลิตจีนก็มีความแข็งแกร่งขึ้น ส่วนแบ่งตลาด NAND ในประเทศของบริษัทเพิ่มขึ้นแตะ 38.5% ในไตรมาส 2 ตามข้อมูลของ Omdia เทียบกับ 28% ในปี 2025 ส่วนแบ่งของ Samsung ลดลงเหลือ 33.5% ขณะที่ SK Hynix ลดลงเหลือ 17%

ความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสำหรับ AI เพิ่มเดิมพันในการแข่งขัน

การเปลี่ยนผ่านทางเทคโนโลยีมีนัยสำคัญต่อการแข่งขันในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ จำนวนเลเยอร์ NAND ที่สูงขึ้นช่วยให้ผู้ผลิตเพิ่มความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลและลดต้นทุนการผลิต ทำให้ชิปขั้นสูงมีความสำคัญต่อสมาร์ตโฟน คอมพิวเตอร์ และศูนย์ข้อมูล AI

นอกจีน Samsung ทำตลาด NAND แบบ 286 เลเยอร์อยู่แล้ว ขณะที่ SK Hynix มีผลิตภัณฑ์สูงสุด 321 เลเยอร์ YMTC ก็กำลังพัฒนาเทคโนโลยีเช่นกัน โดยผลิตชิปแบบ 294 เลเยอร์ในจำนวนจำกัด และมีแผนพัฒนาดีไซน์ที่ซับซ้อนยิ่งขึ้น

สำหรับ Samsung และ SK Hynix การปรับปรุงโรงงานในจีนมีความสำคัญมากขึ้นต่อการปกป้องส่วนแบ่งตลาด ความสามารถในการเดินหน้าของทั้งสองบริษัทจะขึ้นอยู่กับการอนุมัติตามกฎระเบียบ ความสำเร็จในการดำเนินงานด้านเทคโนโลยี และการแข่งขันจากผู้ผลิตในประเทศที่กำลังไล่ตามความได้เปรียบอย่างรวดเร็ว

นอกจากนี้ เรายังรายงานว่า Samsung และ SK Hynix วางแผนลงทุนครั้งใหญ่ในชิป AI ในเกาหลีใต้

เนื้อหานี้อาจมีความคิดเห็นจากบุคคลที่สาม ข้อมูลและข้อมูลใด ๆ บนเว็บเพจนี้ไม่ถือเป็นคำแนะนำการลงทุนตาม ข้อจำกัดความรับผิดชอบ ของเรา แม้ว่าเราจะยึดมั่นใน ความซื่อสัตย์ทางบรรณาธิการ อย่างเคร่งครัด โพสต์นี้อาจมีการอ้างอิงถึงผลิตภัณฑ์จากพันธมิตรของเรา

คุณชอบบทความนี้หรือไม่?