Samsung i SK Hynix zwiększają produkcję układów NAND nowej generacji w chińskich fabrykach
Samsung Electronics i SK Hynix modernizują swoje chińskie fabryki półprzewodników, aby produkować bardziej zaawansowane układy pamięci i chronić swoje pozycje rynkowe w obliczu przyspieszającego popytu na infrastrukturę AI. Inwestycje uwidaczniają rosnące wyzwanie stojące przed południowokoreańskimi producentami układów: utrzymanie konkurencyjnej produkcji w Chinach przy jednoczesnym poruszaniu się wśród amerykańskich ograniczeń dotyczących sprzętu do produkcji półprzewodników.
Najważniejsze
- Samsung celuje w produkcję 286-warstwowych układów NAND w Chinach.
- SK Hynix planuje zaawansowaną modernizację fabryk w Dalian.
- Amerykańskie ograniczenia komplikują inwestycje w produkcję układów.
Ten artykuł został przetłumaczony z oryginału. Przeczytaj oryginalną wersję przygotowaną przez naszego korespondenta tutaj.
Według Reuters obie firmy potwierdziły, że modernizacja fabryk już trwa w konsultacji z władzami USA. Ich plany obejmują produkcję pamięci NAND flash o ponad 200 warstwach, choć zakres zgody Waszyngtonu na wymagany sprzęt pozostaje niejasny.
Samsung i SK Hynix celują w zaawansowaną produkcję NAND
Samsung modernizuje zakład w Xi’an, który odpowiada za około 40% globalnej produkcji NAND firmy. Fabryka obecnie wytwarza układy o około 200 warstwach i jest przygotowywana do produkcji 286-warstwowych układów V9 NAND w ramach wewnętrznego projektu o nazwie Monami.
Firma zamierza osiągnąć miesięczną produkcję na poziomie 5 000 wafli do grudnia 2026 roku, z potencjalnym wzrostem do 40 000 do grudnia 2027 roku. Samsung podkreśla, że prace zmodernizują istniejące operacje, a nie zwiększą mocy produkcyjnych ani nie będą wiązać się z uruchomieniem nowych zakładów.
SK Hynix prowadzi podobne usprawnienia w swoich fabrykach w Dalian, gdzie produkcja koncentruje się obecnie na 192-warstwowych układach NAND. Firma planuje wprowadzić produkty o co najmniej 240 warstwach i rozważa badania nad układami przekraczającymi 300 warstw, pod warunkiem uzyskania dodatkowych zezwoleń regulacyjnych.
Amerykańskie ograniczenia eksportowe komplikują modernizację fabryk
Obaj producenci mierzą się z ograniczeniami wprowadzonymi przez Waszyngton w ramach działań mających ograniczyć dostęp Chin do zaawansowanych technologii półprzewodnikowych. Od 2022 roku amerykańskie kontrole utrudniają zakup sprzętu, a roczne wymogi licencyjne obejmują obecnie niektóre narzędzia produkcyjne wyprodukowane w USA.
Departament Handlu USA wskazał, że licencje powinny wspierać dalsze funkcjonowanie istniejących chińskich fabryk, a nie modernizację technologiczną czy zwiększanie mocy produkcyjnych. Stanowisko to powoduje niepewność wokół planów firm, mimo że potwierdzają one konsultacje z amerykańskimi regulatorami.
Tymczasem chiński producent Yangtze Memory Technologies zyskuje przewagę. Jego udział w krajowym rynku NAND osiągnął 38,5% w drugim kwartale, według Omdia, w porównaniu z 28% w 2025 roku. Udział Samsunga spadł do 33,5%, a SK Hynix do 17%.
Popyt na pamięć dla AI podnosi stawkę rywalizacji
Transformacja technologiczna ma istotne znaczenie dla konkurencji w sektorze półprzewodników. Większa liczba warstw NAND pozwala producentom zwiększać gęstość pamięci i obniżać koszty produkcji, dzięki czemu zaawansowane układy są ważne dla smartfonów, komputerów i centrów danych AI.
Poza Chinami Samsung już oferuje 286-warstwowe układy NAND, a SK Hynix produkty o maksymalnie 321 warstwach. YMTC również rozwija swoją technologię, w tym ograniczoną produkcję 294-warstwowych układów oraz plany opracowania bardziej zaawansowanych konstrukcji.
Dla Samsunga i SK Hynix modernizacja chińskich zakładów ma coraz większe znaczenie dla obrony udziałów rynkowych. Ich zdolność do realizacji planów będzie zależeć od zgód regulacyjnych, wykonania technologicznego oraz konkurencji ze strony krajowych producentów, którzy szybko zmniejszają dystans.
Informowaliśmy również, że Samsung i SK Hynix planują ogromne inwestycje w układy AI w Korei Południowej.