SK 海力士正准备进行其规模最大的制造扩张之一,承诺向韩国的两家新存储芯片工厂投入 54.3 万亿韩元(约合 381 亿美元)。这项投资反映了该公司的预期,即随着人工智能基础设施的扩张,对高带宽存储器(HBM)和其他先进存储产品的需求将保持强劲。
亮点
- SK 海力士将投资约 381 亿美元建设两座新存储工厂。
- 龙仁工厂将专注于 DRAM 和 HBM,而清州工厂将生产 NAND。
- 新产能计划于 2028 年和 2029 年起投产。
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据 CNBC 报道,该公司将斥资 35.2 万亿韩元建设位于龙仁的 Y2 晶圆厂,并斥资 19.1 万亿韩元建设位于清州的 M17 工厂。这些项目旨在扩大 DRAM、高带宽存储器(HBM)和 NAND 的产能,因为存储器制造商正面临供应紧张以及来自 AI 数据中心和先进计算系统不断增长的需求。
AI 需求驱动产能扩张
SK 海力士已成为 HBM 的主要供应商,这是一种与先进 AI 处理器配合使用的专用存储器。随着科技公司大力投资计算基础设施,以及像 Nvidia 这样的芯片制造商需要越来越多高性能存储器,需求正在加速增长。
新的龙仁 Y2 工厂将成为龙仁半导体集群规划的四座晶圆厂中的第二座。建设定于 2027 年 7 月开始,首个无尘室预计于 2029 年 6 月启用。该设施将生产 DRAM 产品,包括 HBM 和其他下一代存储器。
清州的 M17 工厂将专注于 NAND 存储器。建设定于 2027 年 2 月开始,随后其首个无尘室将于 2028 年 12 月启用。
这一时间表意味着该投资不会立即增加 SK 海力士的产量。相反,它为本十年末增加了产能,届时 AI 计算需求可能比现在大得多。
存储器制造商竞相满足需求
随着存储行业竞争加剧,SK 海力士正在进行扩张。根据 Counterpoint Research 的数据,三星在第二季度重新夺回了全球 DRAM 市场份额的领先地位,而美光和中国制造商也在增加产能。
尽管有这些扩张计划,但如果 AI 基础设施需求的增长速度继续快于新工厂的投产速度,供应可能仍将紧张。在供需失衡的情况下,存储器价格已经大幅上涨,支撑了各大生产商的收益和股价。
最新的项目也是更大制造战略的一部分。SK 海力士此前概述了在龙仁半导体综合体投资 600 万亿韩元以及在清州生产基地投资 100 万亿韩元的扩张计划。
对 AI 基础设施的长期押注
54.3 万亿韩元的承诺表明,SK 海力士预计当前的存储器短缺将演变成一个更长的投资周期,而不是迅速消失。由于首批新无尘室要到 2028 年底和 2029 年才能建成,该公司实际上是在提前数年为预期需求布局产能。
这对于 SK 海力士之外的领域也具有重要意义。HBM 和 DRAM 的可用性日益决定了 AI 计算能力的扩张速度,使存储器生产成为全球 AI 供应链的关键环节。
我们此前曾强调,三星和 SK 海力士计划在韩国进行大规模 AI 芯片投资 。
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