SK hynix, 5년 내 생산능력 두 배 확대 추진

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Dan Blystone

02.06.2026

SK hynix, 5년 내 생산능력 두 배 확대 추진 — SK하이닉스 생산 확대

대만 타이베이에서 열린 Computex 2026에서 AI 인프라 확대로 메모리 수급 압박이 장기화할 것이라는 전망이 나온다. SK그룹은 SK hynix의 증설 계획을 제시했고, Samsung Electronics는 차세대 HBM5 시제품을 공개하며 고대역폭 메모리 경쟁을 한층 끌어올린다.

하이라이트

SK그룹 최태원 회장은 Computex 2026에서 5년 내 SK hynix 메모리 생산능력을 두 배로 확대하겠다고 밝혔다.
Samsung Electronics는 HBM5 시제품을 세계 최초 2나노 파운드리 공정과 새로운 HPB 기술 적용으로 공개하며 차세대 HBM 경쟁에 박차를 가하고 있다.
AI 서버와 가속기 수요 확대로 인한 투자 압력 증가로, SK hynix 증설과 Samsung Electronics의 HBM5 발표가 고성능 메모리 시장 경쟁의 주요 변수로 부각된다.

Computex 2026서 제시된 증설 구상

SeDaily.com에 따르면 최태원 SK그룹 회장은 타이베이 난강전시센터에서 열린 Computex 2026의 SK hynix 부스에서 기자들과 만나, 2030년까지 메모리 부족이 예상된다며 앞으로 5년 안에 SK hynix의 생산능력을 두 배로 늘리겠다고 밝혔다.

최 회장은 신규 팹 건설에만 최소 3년이 걸리고, 완전한 신규 부지에서 시작하면 5년 이상이 필요하다고 설명했다. 그는 메모리 병목을 해소해야 하지만 이를 돌파하려면 10년 단위의 장애물을 넘어야 한다고 말했다.

시장에서는 이 발언이 Nvidia의 AI 가속기 'Vera Rubin' 생산능력 확대 기조와 맞물린다고 본다. Nvidia는 SK hynix의 최대 고객사이며, 최 회장은 현장에서 Foxconn, Acer 등 대만 주요 기업 부스도 방문해 협력 관계를 점검했다.

HBM 경쟁과 반도체 공급망 파급효과

같은 행사에서 Samsung Electronics 반도체 부문 CTO인 송재혁 사장은 Samsung Display 부스에서 기자간담회를 열고 8세대 고대역폭 메모리인 HBM5 시제품을 처음 공개했다. 그는 HBM5가 세계 최초로 2나노 파운드리 공정으로 제조한 베이스 다이와 발열을 제어하는 HPB를 적용했다고 설명했다.

Samsung Electronics는 올해 차세대 HBM 기술 경쟁에서 속도를 높이고 있다. 회사는 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 시작했고 지난달에는 HBM4E 샘플도 처음 출하했으며, 가능한 모든 자원을 확실히 투자하고 있다고 밝혔다.

이번 발표는 AI 서버와 가속기 수요 확대가 메모리와 파운드리 양쪽 투자 압력을 함께 키우고 있음을 보여준다. 한국 반도체 업계에서는 SK hynix의 증설 구상과 Samsung Electronics의 HBM5 공개가 향후 수년간 고성능 메모리 공급능력과 기술 주도권 경쟁의 핵심 변수로 작용할 전망이다.

우리의 이전 보도에서는 한국 정부가 EUV 노광장비의 국내 설치 절차를 간소화해 설치 기간을 기존 34일에서 9일로 단축하는 제도 개선을 추진한다고 전했습니다. 이에 따라 장비당 약 5억원의 검사 비용 절감이 기대되며, 첨단 공정 전환과 생산라인 투자 집행 속도를 높이는 효과가 있을 것으로 정리했습니다.

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