한화자산운용 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF, 반도체 ETF 수익률 선두

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Dan Blystone

21.05.2026

한화자산운용 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF, 반도체 ETF 수익률 선두 — 반도체 ETF 수익률 선두

AI 인프라 투자 확대로 메모리 반도체 전반에 대한 관심이 커지는 가운데, 한화자산운용의 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 최근 3년 누적 수익률 676.67%로 반도체 투자 ETF 가운데 가장 높은 성과를 보이고 있다. 이 상품은 HBM과 DRAM뿐 아니라 NAND와 메모리 장비까지 투자 범위를 넓혀 메모리 밸류체인 전반에 분산 투자하는 전략을 내세우고 있다.

하이라이트

PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 최근 3년 누적 수익률 676.67%로 반도체 ETF 3종 중 최고치를 기록했다.
포트폴리오의 75~80%를 차지하는 삼성전자, SK하이닉스, Micron에 SanDisk와 메모리 장비주도 새로 편입해 NAND와 설비투자 노출을 확대했다.
SanDisk는 올해 데이터센터 NAND 시장 성장률 전망치를 60%로 상향 조정했으며, AI 인프라 투자 확산이 관련 수요를 견인하고 있다.

수익률 성과와 포트폴리오 조정

매일경제 보도에 따르면, Fn Spectrum 집계 기준 20일 현재 레버리지와 인버스를 제외한 반도체 투자 ETF 3종이 최근 3년 누적 수익률 500%를 넘겼으며, 이 가운데 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 676.67%로 가장 높은 수익률을 기록하고 있다.

편입 종목의 주가 흐름도 성과를 뒷받침하고 있다. 최근 3개월 기준으로 SK하이닉스는 92.9%, 삼성전자 54%, Micron 71%, SanDisk 114.2%를 기록했다. 최근 1년 기준으로는 SK하이닉스 812.2%, 삼성전자 427.8%, Micron 646.2%, SanDisk 3365.8%로 나타났다.

포트폴리오의 핵심 축은 삼성전자, SK하이닉스, Micron 등 글로벌 메모리 3사이며, 이들 종목 비중은 전체의 약 75%에서 80% 수준이다. 한화자산운용은 5월 정기 리밸런싱에서 NAND 익스포저 확대를 위해 SanDisk를 새로 편입했고, 메모리 검사와 후공정 장비 종목인 TerraDine과 Techwing도 담아 메모리 설비투자 확대 수혜까지 반영하도록 구성했다고 밝혔다.

AI 메모리 투자 확산과 업계 영향

이번 ETF의 특징은 포트폴리오 내 NAND 비중을 높였다는 점이다. 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 제한된 팹 자원과 설비투자를 수익성이 높은 HBM과 DRAM에 배분하면서 NAND 웨이퍼 투입을 잇달아 줄이고 있으며, 이에 따라 NAND 사업 비중이 큰 SanDisk 같은 전문 기업이 가격 상승과 점유율 확대의 상대적 수혜를 입을 수 있다는 분석이 나온다.

SanDisk의 David Geckler 최고경영자는 3월 콘퍼런스콜에서 데이터센터 부문의 NAND 시장 성장률 전망치를 올해 60%로 상향 조정했다고 말했다. 그는 몇 달 전까지만 해도 20%에서 40%로 예상했던 수준보다 크게 높아졌으며, 관련 수요 증가 폭을 가늠하기 어렵다고 설명했다.

금정섭 한화자산운용 ETF사업본부장은 AI 인프라 투자가 GPU에서 HBM, 서버 DRAM, 데이터센터 NAND로 확산하고 있다고 밝혔다. 그는 PLUS 글로벌 HBM 반도체 ETF가 HBM과 DRAM에서 NAND와 메모리 장비까지 투자 범위를 넓혀, AI가 이끄는 메모리 슈퍼사이클의 전 구간을 하나의 상품으로 포착하도록 설계돼 있다고 설명했다.

우리 매체는 앞서 RIA(국내복귀투자계좌) 도입 이후 해외 주식에서 차익을 실현한 개인 자금이 국내 증시로 빠르게 유입되며, 삼성전자·SK hynix 같은 반도체 대형주와 지수형 ETF로 매수세가 집중되는 흐름을 짚었습니다. 또한 해외 주식 매도 차익 공제율이 단계적으로 축소되는 만큼, 세제 혜택 종료 시점 전후로 자금 이동이 더 가팔라질 수 있다는 점과 함께 결제일(T+1~T+2) 등 적용 요건 점검의 필요성도 정리했습니다.

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