SK Hynix інвестує $38 млрд у розширення виробництва чіпів пам'яті
SK Hynix готує одне з найбільших розширень виробництва у своїй історії, виділяючи 54,3 трлн вон, або приблизно $38,1 млрд, на два нові заводи з виробництва чіпів пам'яті в Південній Кореї. Інвестиція відображає очікування компанії, що попит на пам'ять з високою пропускною здатністю та інші передові продукти пам'яті залишатиметься високим у міру розширення інфраструктури штучного інтелекту.
Основні моменти
- SK Hynix інвестує близько $38,1 млрд у два нові заводи пам'яті.
- Йон'їн зосередиться на DRAM та HBM, а Чхонджу вироблятиме NAND.
- Нові потужності планується ввести в експлуатацію з 2028 та 2029 років.
Компанія витратить 35,2 трлн вон на свій завод Y2 в Йон'їні та ще 19,1 трлн вон на об'єкт M17 у Чхонджу, повідомляє CNBC. Проєкти спрямовані на розширення виробництва DRAM, пам'яті з високою пропускною здатністю, або HBM, та NAND, оскільки виробники пам'яті борються з обмеженою пропозицією та зростаючим попитом з боку центрів обробки даних ШІ та передових обчислювальних систем.
Попит на ШІ стимулює розширення потужностей
SK Hynix стала основним постачальником HBM — спеціалізованого виду пам'яті, що використовується разом із передовими процесорами ШІ. Попит прискорився, оскільки технологічні компанії вкладають значні кошти в обчислювальну інфраструктуру, а виробники чіпів, такі як Nvidia, потребують дедалі більшої кількості високопродуктивної пам'яті.
Новий завод Y2 в Йон'їні стане другим із чотирьох запланованих виробничих об'єктів у напівпровідниковому кластері Йон'їна. Початок будівництва заплановано на липень 2027 року, а відкриття першої «чистої кімнати» очікується в червні 2029 року. Об'єкт вироблятиме продукти DRAM, включаючи HBM та іншу пам'ять наступного покоління.
Завод M17 у Чхонджу зосередиться на пам'яті NAND. Будівництво має розпочатися в лютому 2027 року, після чого в грудні 2028 року відкриється перша «чиста кімната».
Такі терміни означають, що інвестиції не призведуть до негайного збільшення обсягів виробництва SK Hynix. Натомість вони додають потужності на кінець десятиліття, коли потреби в обчисленнях ШІ можуть бути значно більшими, ніж сьогодні.
Виробники пам'яті змагаються за задоволення попиту
SK Hynix розширюється на тлі посилення конкуренції в індустрії пам'яті. За даними Counterpoint Research, у другому кварталі Samsung повернула собі лідерство на світовому ринку DRAM за часткою ринку, тоді як Micron та китайські виробники також нарощують потужності.
Незважаючи на ці плани розширення, пропозиція може залишатися обмеженою, якщо попит на інфраструктуру ШІ продовжуватиме зростати швидше, ніж вводитимуться в експлуатацію нові заводи. Ціни на пам'ять вже різко зросли на тлі дисбалансу, що підтримало прибутки та котирування акцій основних виробників.
Останні проєкти також є частиною набагато масштабнішої виробничої стратегії. Раніше SK Hynix окреслила плани інвестувати 600 трлн вон у напівпровідниковий комплекс у Йон'їні та 100 трлн вон у розширення своєї виробничої бази в Чхонджу.
Довгострокова ставка на інфраструктуру ШІ
Зобов'язання у розмірі 54,3 трлн вон свідчить про те, що SK Hynix очікує перетворення поточного дефіциту пам'яті на тривалий інвестиційний цикл, а не на явище, що швидко мине. Оскільки перші нові «чисті кімнати» з'являться лише наприкінці 2028 та у 2029 роках, компанія фактично готує потужності за кілька років до очікуваного попиту.
Це має значення не лише для SK Hynix. Доступність HBM та DRAM дедалі більше визначає швидкість розширення обчислювальних потужностей ШІ, що робить виробництво пам'яті критично важливою ланкою у глобальному ланцюжку поставок ШІ.
Раніше ми зазначали, що Samsung та SK Hynix планують масштабні інвестиції в чіпи ШІ у Південній Кореї.