SK Hynix инвестирует $38 млрд в расширение производства чипов памяти

SK Hynix инвестирует $38 млрд в расширение производства чипов памяти
SK Hynix ставит $38 млрд на рост памяти для ИИ

SK Hynix готовит одно из своих крупнейших расширений производства, выделяя 54,3 трлн вон, или примерно $38,1 млрд, на два новых завода по производству чипов памяти в Южной Корее. Инвестиции отражают ожидания компании, что спрос на память с высокой пропускной способностью и другие передовые продукты памяти останется высоким по мере расширения инфраструктуры искусственного интеллекта.

Основные моменты

  • SK Hynix инвестирует около $38,1 млрд в два новых завода памяти.
  • Йонъин сосредоточится на DRAM и HBM, а Чхонджу будет производить NAND.
  • Новые мощности планируется ввести в эксплуатацию в 2028 и 2029 годах.

Согласно CNBC, компания потратит 35,2 трлн вон на свой завод Y2 в Йонъине и еще 19,1 трлн вон на объект M17 в Чхонджу. Проекты направлены на расширение производства DRAM, памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и NAND, в то время как производители памяти борются с дефицитом предложения и растущим спросом со стороны центров обработки данных ИИ и передовых вычислительных систем.

Спрос на ИИ стимулирует расширение мощностей

SK Hynix стала крупным поставщиком HBM - специализированной формы памяти, используемой вместе с передовыми процессорами ИИ. Спрос ускорился, так как технологические компании вкладывают значительные средства в вычислительную инфраструктуру, а таким производителям чипов, как Nvidia, требуются все большие объемы высокопроизводительной памяти.

Новый завод Y2 в Йонъине станет вторым из четырех запланированных производственных объектов в полупроводниковом кластере Йонъина. Строительство планируется начать в июле 2027 года, а открытие первой «чистой комнаты» ожидается в июне 2029 года. Предприятие будет производить продукты DRAM, включая HBM и другую память следующего поколения.

Завод M17 в Чхонджу сосредоточится на памяти NAND. Строительство планируется начать в феврале 2027 года, после чего в декабре 2028 года откроется первая «чистая комната».

Такие сроки означают, что инвестиции не приведут к немедленному увеличению объемов производства SK Hynix. Вместо этого они добавят мощности к концу десятилетия, когда потребности в вычислениях для ИИ могут стать существенно выше, чем сегодня.

Производители памяти соревнуются за удовлетворение спроса

SK Hynix расширяется на фоне усиления конкуренции в индустрии памяти. По данным Counterpoint Research, во втором квартале Samsung вернула себе лидирующую позицию на мировом рынке DRAM по доле рынка, в то время как Micron и китайские производители также наращивают мощности.

Несмотря на эти планы расширения, предложение может оставаться ограниченным, если спрос на инфраструктуру ИИ продолжит расти быстрее, чем будут вводиться в эксплуатацию новые заводы. Цены на память уже резко выросли на фоне дисбаланса, что поддерживает доходы и котировки акций крупнейших производителей.

Последние проекты также являются частью гораздо более масштабной производственной стратегии. Ранее SK Hynix изложила планы инвестировать 600 трлн вон в полупроводниковый комплекс в Йонъине и 100 трлн вон в расширение своей производственной базы в Чхонджу.

Долгосрочная ставка на инфраструктуру ИИ

Обязательство выделить 54,3 трлн вон показывает, что SK Hynix ожидает превращения текущего дефицита памяти в более длительный инвестиционный цикл, а не его быстрого исчезновения. Поскольку первые новые «чистые комнаты» появятся только в конце 2028 и 2029 годов, компания фактически позиционирует мощности за несколько лет до ожидаемого спроса.

Это имеет значение не только для SK Hynix. Доступность HBM и DRAM все чаще определяет, насколько быстро могут расширяться вычислительные мощности ИИ, что делает производство памяти критически важной частью глобальной цепочки поставок ИИ.   

Ранее мы отмечали, что Samsung и SK Hynix планируют масштабные инвестиции в чипы для ИИ в Южной Корее.

Отказ от ответственности: Включает мнения третьих лиц. Не является финансовой рекомендацией. Может включать спонсируемый контент.